具有高光响应性的体单层β-In2Se3纳米板
Guilherme Almeida1, Sedat Dogan, Giovanni Bertoni2
1Dipartimento di Chimica e Chimica Industriale, Università degli Studi di Genova , Via Dodecaneso, 31, 16146, Genova, Italy.
Journal of the American Chemical Society
|February 4, 2017
概括
研究人员使用低温合物方法合成了单层化 (In2Se3) 纳米片. 这些半导体纳米板具有可调节的尺寸,并显示出高性能光探测器的前景.
科学领域:
- 材料科学
- 纳米技术
- 半导体物理
背景情况:
- 体合成提供了一种生产二维纳米材料的多功能途径.
- 对二维材料的厚度,相位和形态的精确控制对于其电子和光电子应用至关重要.
- 化 (In2Se3) 是一个有前途的半导体材料,在电子和光电子领域具有潜在的应用.
研究的目的:
- 开发一种低温合合成方法,用于单层,五原子厚的β-In2Se3纳米片.
- 控制β-In2Se3纳米片的侧面尺寸.
- 描述合成的β-In2Se3纳米片并评估它们在光探测器应用中的潜力.
主要方法:
- 低温合合成使用短氨基尼特 (胺或胺) 作为形状控制剂.
- 对X射线衍射 (XRD) 峰值强度比率的分析和与衍射模拟进行比较,以确认相位和单层性质.
- 德拜公式模拟和高分辨率传输电子显微镜 (HRTEM) 成像用于结构验证.
主要成果:
- 成功合成了单层,五原子厚的β-In2Se3纳米板,侧面尺寸可调节 (∼300900nm).
- 使用XRD分析,模拟和HRTEM证实了相位和单层性质.
- 确定β-In2Se3纳米板的间接带间隙为1.55 eV.
- 在单个纳米板光探测器中证明了高光响应性和快速响应时间.
结论:
- 一种简单的低温合体方法可以合成尺寸调节的单层β-In2Se3纳米片.
- 合成的β-In2Se3纳米板是适用于光电子设备的间接带隙半导体.
- 单层β-In2Se3纳米板显示出开发高性能光探测器的巨大潜力.
