集成电路的高分辨率非破坏性三维成像
Mirko Holler1, Manuel Guizar-Sicairos1, Esther H R Tsai1
1Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen PSI, Switzerland.
Nature
|March 17, 2017
概括
现在,X射线图像学能够以14.6纳米分辨率对纳米电子设备进行非破坏性3D成像. 这一突破解决了芯片制造和逆向工程中的重要测量缺口.
科学领域:
- 材料科学
- 纳米技术
- 影像科学
背景情况:
- 由于特征尺寸小且3D结构复杂,现代纳米电子面临着成像限制.
- 测量学差距阻碍了设计反,质量控制和集成电路的逆向工程.
研究的目的:
- 展示集成电路的非破坏性3D成像的X射线图谱.
- 实现高度的侧面分辨率以实现详细的设备几何和元素映射.
主要方法:
- 使用高分辨率连贯衍射成像技术的X射线影像.
- 将该技术应用于已知和未知设计的集成电路.
主要成果:
- 在各个方向实现了146纳米的横向分辨率.
- 获得详细的3D装置几何形状和相应的元素图.
- 在芯片结构中可视化设备的整合.
结论:
- 在电子显微镜等破坏性技术上,
- 这种方法提高了芯片检查和逆向工程能力.
- 未来的发展有望提高纳米电子计量学的效率和缩短扫描时间.
