在等离子和光硫化铜纳米晶体之间切换
Ward van der Stam1, Solrun Gudjonsdottir1, Wiel H Evers1,2
1Optoelectronic Materials Section, Faculty of Applied Sciences, Delft University of Technology , van der Maasweg 9, 2629 HZ Delft, The Netherlands.
Journal of the American Chemical Society
|August 26, 2017
概括
我们用电化学证明了对硫化铜纳米晶体的可逆控制. 这可以调整它们的特性用于光电子应用,如NIR光学开关和光伏设备.
科学领域:
- 材料科学
- 纳米技术
- 电化学
背景情况:
- 硫化铜纳米晶体的化密度对于光电子应用至关重要.
- 现有的方法缺乏对载体密度的精确可逆控制.
研究的目的:
- 在硫化铜纳米晶体中证明孔载体密度的可逆控制.
- 探索电化学方法来调整注和相位转换.
- 能够在等离子和光特性之间切换.
主要方法:
- 使用不同电荷补偿 (例如,Li+,Cu+) 的电化学方法.
- 研究电容充电与离子间隔.
- 描述相变和光学特性 (带间隙,等离子体共振,光).
主要成果:
- 将孔载体密度从>10^22 cm^-3控制到内在密度的可逆控制
- 间隔可以在体CuS (等离子体) 和低体CuLiS (半导体) 阶段之间进行可逆切换.
- 铜离子间隔诱导永久的相位过渡到内在的低石Cu2S,呈现稳定的近红外光 (~1050nm).
结论:
- 电化学控制提供铜硫化物纳米晶体的动态调节.
- 在等离子和光状态之间切换的能力已被证明.
- 这些发现为光伏设备,NIR光学开关和智能窗户的应用铺平了道路.
