通过溶液辅助方法制备的高流动性柔性氧化薄膜晶体管
Congcong Zhang1, Jinxiong Wu1,2, Yuanwei Sun3,4
1Center for Nanochemistry, Beijing Science and Engineering Center for Nanocarbons, Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, College of Chemistry and Molecular Engineering , Peking University , Beijing 100871 , China.
Journal of the American Chemical Society
|January 28, 2020
概括
研究人员开发了一种用于柔性电子产品的高流动性氧化物 (Bi2O2Se) 薄膜的新方法. 这些膜具有出色的电性能和稳定性,为先进的灵活装置铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学
- 凝聚物质物理学
- 纳米技术
背景情况:
- 由于其固有的灵活性和高电特性,二维 (2D) 半导体为灵活的电子提供了潜力.
- 在高流动性二维半导体薄膜和高效制造设备方面仍然存在挑战.
研究的目的:
- 开发一种简单,快速和可扩展的高可移动性二维氧化物 (Bi2O2Se) 薄膜合成方法.
- 展示这些Bi2O2Se膜在灵活的电子设备中的潜力.
主要方法:
- 溶液辅助合成,包括甲基前体的化和分解.
- 通过旋转涂层旋转速度来精确控制薄膜厚度.
- 在Bi2O2Se薄膜上制造和测试柔性顶端晶体管.
- 将设备转移到柔性聚乙烯基基板上
主要成果:
- 在Bi2O2Se薄膜中在室温下达到高哈尔流动性~74cm^2V^-1s^-1.
- 证明了精确的厚度控制,
- 灵活的Bi2O2Se晶体管在平面和曲的基板上表现出极好的电稳定性.
- 设备成功转移到柔性PVC基板上
结论:
- 开发的方法提供了高质量的Bi2O2Se薄膜的可扩展途径.
- 由于其高流动性和稳定性,Bi2O2Se是高性能灵活电子产品的有希望的材料.
- 简单的合成和转移过程提高了灵活设备的实际应用潜力.
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