Non-ohmic Devices
MOSFET: Enhancement Mode
Switching of BJT
Types of Semiconductors
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Chun-Ya Pan1, Xin-Rui Yang1, Lin Xiong2
1Beijing Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Materials, College of Chemistry, Beijing Normal University, Beijing 100875, People's Republic of China.
研究人员发现了一种具有出色性能的新型固态非线性光学 (NLO) 开关 (NH4) 2PO3F. 通过修改键, 他们实现了可调节的NLO切换在有史以来最广泛的温度范围.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: