在多层形石墨中进行电子相位分离
Yanmeng Shi1, Shuigang Xu2, Yaping Yang1,2
1Department of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester, UK.
Nature
|August 14, 2020
概括
曾经难以研究的形石墨现在显示出有间隙的大电子状态和高质量的拓表面状态. 这些表面状态可以观察量子霍尔效应和相位过渡,甚至在薄膜中显示自发的隙.
科学领域:
- 凝聚物质物理学
- 材料科学
- 表面科学
背景情况:
- 六边形石墨已被广泛研究,而较不稳定的方形石墨则在很大程度上仍未被探索.
- 由于相互作用,理论研究预测了形石墨的奇特物理.
- 范德瓦尔斯异构结构的进步使得高质量的形石墨薄膜制造成为可能.
研究的目的:
- 研究高质量的石墨膜的运输特性.
- 探索形石墨中的电子状态和潜在的拓现象.
- 了解形石墨表面开放的条件.
主要方法:
- 使用范德瓦尔斯异构结构技术制造高质量的石墨膜,厚度高达50层石墨烯.
- 测量这些形石墨薄膜的运输特性.
- 使用垂直电场来打破反向对称性.
主要成果:
- 在形石墨中发现大量的电子状态有间隙.
- 在低温下,电子传输主要由高质量的拓表面状态主导.
- 观测半金属和量子旋转哈尔相之间的量子哈尔效应和相变.
- 通过电场应用可以在表面状态中打开能量差距.
- 在四纳米以下薄膜中观察到自发的间隙开放,表明电子相位分离.
结论:
- 形石墨具有独特的电子特性,包括间隙散体状态和拓表面状态.
- 量子霍尔效应和拓相过渡可以在形石墨中观察到.
- 外部电场和薄膜厚度显著影响电子带结构,从而实现间隙控制.
- 自发的隙开放表明,在薄形石墨薄膜中出现了强烈相关的电子表面状态.
