大型WS2/MoS2横向和垂直异构结构的单选择性表轴生长
Juntong Zhu1, Wei Li1, Rong Huang2
1College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials Innovations, and Key Laboratory of Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies of Jiangsu Province, Soochow University, Suzhou 215123, China.
Journal of the American Chemical Society
|August 28, 2020
概括
研究人员开发了一种用于生长大二硫化物/二硫化物 (MoS2/WS2) 异构的单方法. 这种氧化物辅助技术可以控制横向和垂直结构的形成,实现创纪录的尺寸和出色的电子性能.
科学领域:
- 材料科学
- 纳米技术
- 表面化学
背景情况:
- 可控制的核化场所对于异构结构的选择性生长至关重要.
- 过渡金属二化物 (TMD) 异构结构具有独特的电子和光学特性.
研究的目的:
- 开发一个用于选择性增长的大型MoS2/WS2横向和垂直异构结构的策略.
- 了解表面化学在控制异构结构形成中的作用.
主要方法:
- 使用氧化物辅助的工艺控制核化部位.
- 飞行时间二次离子质谱 (TOF-SIMS) 用于材料表征.
主要成果:
- 实现了大型MoS2/WS2横向和垂直异构结构的有限和选择性增长的一种策略的第一份报告.
- 显示了最大的横向MoS2/WS2异构结构,尺寸高达1毫米.
- 获得了具有高载体流动性的异构结构 (∼58 cm2 V-1 s-1) 和最大开/关电流比 (>108).
结论:
- 氧化物辅助方法成功控制了MoS2/WS2异构结构的选择性生长.
- 这项工作为制造具有可调整配置的大规模TMD异构提供了途径.
- 提供了对控制TMD选择性生长的表面化学的基本见解.
