在上异质集成的激光单体微
Chao Xiang1, Junqiu Liu2, Joel Guo1
1Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA 93106, USA.
Science (New York, N.Y.)
|July 2, 2021
概括
我们使用InP/Si激光器和Si3N4微振电器开发了集成光子激光微. 这使得基于芯片的频率可以大规模生产用于高容量通信系统.
科学领域:
- 光学和光学工程
- 材料科学
- 半导体设备物理
背景情况:
- 光子允许在芯片上集成光学功能.
- 集成的激光频率对于先进的光学系统至关重要.
研究的目的:
- 在平台上演示异质集成的激光单体微.
- 为了实现大批量低成本制造基于芯片的频率.
主要方法:
- 在基底上结合/ (InP/Si) 半导体激光器与化 (Si3N4) 微振解器.
- 使用兼容金属氧化物半导体 (CMOS) 的制造技术.
- 实现激光微共振器相对光学阶段的芯片电气控制.
主要成果:
- 成功集成InP/Si激光器和Si3N4微光器用于单离子微生成.
- 实现了100千兆赫的重复速率,
- 通过自我注射锁定观察到激光频率降噪.
结论:
- 开发的方法可以促进基于芯片的窄线宽频的批量生产.
- 这些集成微型适用于下一代高容量收发器,数据中心和移动平台.
