通过C-C键裂变连接物修改机制,通过离子液介导的途径到氧化的原子层沉积
Jingwei Shi1, Seunggi Seo1,2, Nathaniel J Schuster3
1Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States.
Journal of the American Chemical Society
|November 15, 2022
概括
这项研究引入了离子液体 (ILs) 作为原子层沉积 (ALD) 的超薄涂层,使锡氧化物 (SnO) 膜与水一起生长. 这种新的溶剂介导方法增强了先行薄膜沉积的前体反应性.
科学领域:
- 材料科学
- 化学工程
- 纳米技术
背景情况:
- 原子层沉积 (ALD) 对于薄膜制造至关重要,可提供高一致性和厚度控制.
- 开发新的热ALD过程通常受到前体反应性和稳定性的限制.
- 传统的ALD依赖于气相前体,缺乏溶液合成的催化和溶剂辅助优势.
研究的目的:
- 为了弥合蒸汽阶段和溶液阶段ALD之间的合成差距.
- 证明使用离子液体 (ILs) 作为基板涂层来实现新的ALD化学物质.
- 使用比通常需要的更温和的反应物 (水) 来实现SnO沉积.
主要方法:
- 在生长基质上使用了超薄的蒸汽相兼容离子液 (1-乙基-3-甲基硫酸盐).
- 使用锡乙酸和水作为通过ALD沉积SnO的前体.
- 使用各种技术对沉积的薄膜进行了表征,并使用NMR光谱和DFT计算来阐明反应机制.
主要成果:
- 在100°C下成功沉积了每周期0.67 Å/周期的SnO薄膜.
- 通过IL涂层促进溶剂介导的反应机制.
- 确定了一种添加-消除途径,涉及在乙乙酸中C-C键裂变,产生乙和乙酸.
结论:
- 离子液体可以作为有效的超薄涂层,使新的热ALD过程成为可能.
- 这种 IL 促进了溶剂介导的反应,允许使用水等不那么有反应性的前体.
- 这项工作介绍了通过溶剂调解在热ALD中的联体修饰的一般策略.
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