水性二的键对深紫外线辐射具有抗性

Jan Thøgersen1, Adam S Chatterley1, Tobias Weidner1

  • 1Department of Chemistry, Aarhus University, Langelandsgade 140, DK-8000 Aarhus C, Denmark.

概括

深紫外线辐射导致水性二主要经过脱碳化,使键保持完整. 大多数激发的二回归到它们的基本状态,对紫外线激发有弹性.