研究大气压力等离子体温度基于碳化蚀刻的研究
Shaozhen Xu1, Julong Yuan1, Jianxing Zhou1
1College of Mechanical Engineering, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310023, China.
Micromachines
|May 27, 2023
概括
增加等离子体温度可以提高诱导合等离子体 (ICP) 工艺中的碳化 (SiC) 蚀刻速率. 优化气体流量和无线电频率 (RF) 功率可以提高蚀刻效率并减轻热积累效应.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 等离子体物理学的物理学
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 感应合等离子体 (ICP) 对于半导体制造至关重要.
- 优化碳化 (SiC) 蚀刻效率对于先进的电子设备至关重要.
- 了解等离子激发过程是提高蚀刻速率的关键.
研究的目的:
- 研究温度和压力对SiC等离子蚀刻的影响.
- 确定等离子体温度和SiC蚀刻速率之间的关系.
- 提高SiC的ICP蚀刻效率.
主要方法:
- 红外温度计用于血温度测量.
- 单因素实验用于研究气体流量和射频功率效应.
- 固定点处理SiC晶片以分析温度-蚀刻速率相关性.
主要成果:
- 随着Ar和CF4的流速,等离子体温度会增加,直到达到最佳点.
- 更高的射频功率会导致等离子体区域温度升高.
- 血温度升高显著加快SiC蚀刻速度.
结论:
- 等离子体反应温度直接影响ICP中的SiC蚀刻速度.
- 优化停留时间可以改善来自热量积累的非线性效应.
- 结果为增强SiC蚀刻过程控制提供了洞察力.
