用探针纳米光刻法对记忆结构的方法:朝着神经形态应用
Roman V Tominov1,2, Zakhar E Vakulov1, Vadim I Avilov1
1Research Laboratory Neuroelectronics and Memristive Nanomaterials (NEUROMENA Lab), Institute of Nanotechnologies, Electronics and Electronic Equipment Engineering, Southern Federal University, Taganrog 347922, Russia.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|May 27, 2023
概括
这项研究使用原子力显微镜 (AFM) 纳米光刻法来优化memristor制造. 这项研究证明了对memristor大小和接触厚度的控制,这对于神经形态计算应用至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 氧化物薄膜中的电阻切换是memristor设备的关键.
- 控制memristor尺寸对于可靠的性能至关重要.
- 原子力显微镜 (AFM) 提供了高分辨率的图案设计功能.
研究的目的:
- 为了研究氧化物薄膜中的电阻切换,使用AFM探 nanolithography.
- 评估memristor大小和顶接触厚度对电阻开关特性的影响.
- 为可靠的纳米结构制造优化AFM参数.
主要方法:
- 使用了用原子力显微镜 (AFM) 进行探针纳米光刻.
- 采用塔古奇方法来优化AFM参数 (正常负载,划痕距离,探头速度,方向).
- 制造和特征Si/TiN/ZnO/光电阻的memristor结构具有不同的尺寸.
主要成果:
- 实现了低粗度的针孔 (25.485.1 nm) 和槽 (40.5 nm深) 的受控制造.
- 证明了对memristor大小 (2783nm) 的控制,产生HRS/LRS比率从8到128.
- 显示了对TiN顶部接触厚度 (8.332.4 nm) 的控制,导致HRS/LRS比率从22到188.8.
结论:
- AFM纳米光刻技术提供了对memristor尺寸的精确控制.
- 优化的制造参数使可调节的电阻开关特性成为可能.
- 这些发现支持对神经形态人工智能的记忆器件的开发.
关键词:
这是ReRAM的重现.塔古奇的方法 塔古奇方法ZnO薄膜是一种薄膜.人工智能的人工智能是人工智能.纪念馆是为了纪念.神经形态系统是神经形态系统.脉冲激光沉积脉冲激光沉积电阻开关 电阻开关探测器 nanolithography 痕探测器纳米光刻法更多相关视频
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