Hf0.5Zr0.5O2使

Meiwen Chen1,2, Shuxian Lv1,2, Boping Wang1,2

  • 1Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China.

概括

在 hafnium氧化物 (HZO) 薄膜中的新型层状结构显著提高了铁电电容的耐用性,达到10^8周期,并减少了泄漏电流. 这种方法可以提高HZO设备的可靠性,而不需要复杂的处理.