电子相关性诱导的信号可逆的贝里相和量子异常山谷霍尔效应在Janus单层OsClBrBr中
Kang Jia1, Xiao-Jing Dong1, Sheng-Shi Li2
1School of Physics and Physical Engineering, Qufu Normal University, Qufu, Shandong, 273100, People's Republic of China.
电子相关性和旋转轨道合驱动在Janus单层OsClBr中的拓相过渡. 这种材料表现出铁路谷,半谷金属和量子异常谷霍尔效应状态,这对于未来的纳米电子设备至关重要.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 量子化学 是一个量子化学.
背景情况:
- 拓相位过渡是凝聚物质物理学的基本现象.
- 电子相关性和旋转轨道合 (SOC) 是影响材料性能的关键因素.
- 雅努斯材料具有独特的结构和电子特性.
研究的目的:
- 研究电子相关性和SOC对Janus单层OsClBr.Br的拓和电子性能的影响.
- 探索新的拓状态的出现.
- 评估valleytronic和spintronic应用的潜力.
主要方法:
- 使用+U方法进行第一原则计算.
- 分析电子带结构和拓不变的分析.
- 对磁性异构和山谷偏振的研究.
主要成果:
- 亚努斯单层OsClBr表现出铁路谷 (FV),半谷金属 (HVM) 和量子异常谷霍尔效应 (QAVHE) 状态的序列,电子相关性 (U) 的增加.
- QAVHE状态的特点是由于带逆转而产生的奇拉边缘状态 (切尔恩数C=1).
- 通过磁化逆向可实现显著的谷极化 (157 meV) 并可切换.
结论:
- 电子关联效应与SOC相结合,对于诱导OsClBr中的拓相过渡至关重要.
- 观察到的QAVHE状态为先进的valleytronic和spintronic应用开辟了道路.
- 基里温度在很大程度上取决于电子相关效应,这突出了它对设备稳定性的重要性.
更多相关视频
11:33All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
Published on: January 19, 2018
08:44Measurements of Long-range Electronic Correlations During Femtosecond Diffraction Experiments Performed on Nanocrystals of Buckminsterfullerene
Published on: August 22, 2017
相关概念视频
π Electron Effects on Chemical Shift: Overview
π Electron Effects on Chemical Shift: Aromatic and Antiaromatic Compounds
Molecular Orbital Theory II
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
In Schottky junctions, where the semiconductor is n-type, applying a positive voltage to the metal relative to the semiconductor reduces its Fermi...
2D NMR: Heteronuclear Single-Quantum Correlation Spectroscopy (HSQC)
Molecular Orbital Theory I
