对Ce/Nd化ZnAl2O4薄膜的成本有效的丝网印刷方法:由基板诱导的调晶度
Rocio E Rojas-Hernandez1, Fernando Rubio-Marcos2, Jallouli Necib1
1Department of Mechanical and Industrial Engineering, Tallinn University of Technology, Ehitajate 5, 19180 Tallinn, Estonia. rocio.rojas@taltech.ee.
Physical chemistry chemical physics : PCCP
|May 31, 2023
概括
在基板上开发了印近红外 (NIR) 发射ZnAl2O4:Ce/Nd薄膜. 更高的Ce4+度会增强NIR发射,这对于先进的光子设备至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 固态化学 固态化学
背景情况:
- 近红外 (NIR) 发射对于像LiDAR,通信和生物传感等应用至关重要.
- 光子设备的小型化需要薄膜集成.
- ZnAl2O4:Ce/Nd提供了NIR发射的潜力.
研究的目的:
- 为了合成可扩展和经济高效的NIR发射ZnAl2O4:Ce/Nd薄膜.
- 调查共兴奋剂和基质选择对NIR发射特性的影响.
- 了解氧化状态对光发的影响.
主要方法:
- 印技术用于合成几百纳米厚的ZnAl2O4:Ce/Nd薄膜.
- 使用聚晶化基板用于薄膜沉积.
- 采用X射线光电子光谱 (XPS) 和X射线吸收近边光谱 (XANES) 来确定氧化状态.
主要成果:
- 密集的 ZnAl2O4:Ce/Nd 陶薄膜在基板上成功生产.
- 紫外线激发 (大约360nm) 诱导NIR发射通过能量从Ce转移到Nd.
- 增加的Ce4+度与增加的NIR发射强度相关.
- 在基板上的晶体生长对排放强度产生了积极的影响.
结论:
- 丝网印刷提供了一种可行的,可扩展的方法,用于生产发射NIR ZnAl2O4:Ce/Nd 薄膜.
- 多晶是这些薄膜的合适且具有成本效益的基材.
- 在光子应用中,优化Ce4+度是最大化NIR发射的关键.
