通过故意的化学兴奋剂来控制拉塞利特Bi2WO6中的孔密度

Makoto Minohara1, Yuka Dobashi1,2, Naoto Kikuchi1

  • 1Research Institute for Advanced Electronics and Photonics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan.

Inorganic chemistry
|June 1, 2023
PubMed
概括

研究人员开发了一种新的方法来控制p型氧化物半导体中的孔密度,这种方法是通过对 bismuth tungstate进行注. 这一突破使得使用这些材料设计先进的电子设备成为可能.