选择性原子层沉积在金属/电流模式上的区域选择性原子层沉积:两涂层,可蒸发的抑制剂和再生加工
Chia-Wei Chang1, Yu-Hsuan Tseng1, Chain-Shu Hsu1,2
1Department of Applied Chemistry, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu 300093, Taiwan.
ACS applied materials & interfaces
|June 2, 2023
概括
化硫醇自组装单层使高选择性区域选择性原子层沉积 (AS-ALD) 能够用于先进的半导体制造. 这种方法提高了自下而上的纳米制造的阻断能力和处理效率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 区域选择性原子层沉积 (AS-ALD) 对于自下而上的纳米制造至关重要,避免复杂的光刻.
- 为工业AS-ALD开发有效的湿自组装单层 (SAM) 沉积仍然是一个挑战.
研究的目的:
- 通过使用新型化硫醇SAM来证明Al2O3的高效AS-ALD.
- 为了提高半导体应用的AS-ALD中的选择性和处理效率.
主要方法:
- 在溶液和蒸汽阶段,利用化硫醇用于自组装单层 (SAM) 形成.
- 在Co/SiO2图案晶圆上应用Al2O3的AS-ALD.
- 研究了SAM再生和重新剂量以提高选择性.
主要成果:
- 与化硫醇SAM一起实现了高效的AS-ALD,由于疏水性,显示出ALD前体的优异阻断.
- 使用可蒸发的化硫醇显著缩短沉积时间,提高吞吐量.
- 通过SAM再生和再剂量过程确认了增强的AS-ALD选择性.
结论:
- 化硫醇SAM为半导体制造中选择性面积-原子层沉积提供了一个有前途的解决方案.
- 开发的方法提高了工艺效率和选择性,为实际的自下而上的纳米制造铺平了道路.
- 再生和重新剂量策略进一步提高了AS-ALD在工业应用中的可行性.
