在MnBiBi中混合的不可移动的Mn-Bi位点
Xi Wu1,2, Chao Ruan1, Peizhe Tang3,4
1Shenzhen Geim Graphene Center and Institute of Materials Research, Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen 518055, People's Republic of China.
Nano letters
|June 5, 2023
概括
抗铁磁拓绝缘体MnBi2Te4表现出像MnBi和BiMn这样的缺陷,阻碍了大间隙表面状态. 通过回火完全消除缺陷是很困难的,影响拓性质.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 量子材料是一种量子材料.
背景情况:
- MnBi2Te4是一种抗铁磁拓绝缘体,具有理论上预测的间隙表面状态.
- 实验观测显示表面状态较小或没有间隙,归因于缺陷.
研究的目的:
- 在MnBi2Te4.4中确定主导缺陷.
- 在相位过渡期间调查缺陷演变.
- 解释理论和实验表面状态之间的差异.
主要方法:
- 理论上识别抗地MnBi和BiMn缺陷.
- 在MnTe/Bi2Te3到MnBi2Te4相位过渡期间缺陷演变的分析.
- 建模缺陷度对表面状态带间隙的影响.
主要成果:
- 抗体MnBi和BiMn被确定为主导缺陷.
- 通过化完全消除这些缺陷是动力学上受阻的.
- 缺陷度的增加缩小了表面状态的带隙.
结论:
- 缺陷显著影响MnBi2Te4.4的拓性质.
- 在实验中,MnBi和BiMn缺陷的存在解释了大间隙表面状态的缺失.
- 提供了合成高质量的MnBi2Te4.4的理论见解.


