通过激光火来研究垂直C形道纳米板FET的再结晶通道
Zhuo Chen1,2, Huilong Zhu1, Guilei Wang3
1Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|June 10, 2023
概括
垂直C型通道纳米板晶体管克服了动态随机访问内存扩展的挑战. 这些自我调整的设备为未来的4F2 DRAM单元提供了出色的性能.
科学领域:
- 半导体设备物理学的物理
- 先进的材料科学是先进的材料科学.
- 集成电路技术 集成电路技术
背景情况:
- 在动态随机存取内存 (DRAM) 中的晶体管缩放面临重大挑战.
- 垂直设备对下一代4F2 DRAM电池晶体管有希望.
- 现有的垂直设备在精确的门长度控制和对齐方面遇到了问题.
研究的目的:
- 制造和描述基于再结晶的新型垂直C形通道纳米板场效应晶体管 (RC-VCNFETs).
- 开发关键过程模块,以实现这些先进的垂直设备.
- 为了评估设备的性能和DRAM应用的潜力.
主要方法:
- 使用再结晶工艺制造RC-VCNFET.
- 开发和优化关键的制造步骤,包括自我调整的门形成.
- 制造的晶体管的电气特性,以评估性能指标.
主要成果:
- 成功制造了具有自我对齐门结构的RC-VCNFET.
- 取得了优异的设备性能指标.
- 显示了低下值波动 (SS) 的62.91mV/dec.
- 报告的最小排水诱导屏障降低 (DIBL) 为6.16mV/V.
结论:
- RC-VCNFETs为克服DRAM扩展限制提供了一个可行的解决方案.
- 自调整式门结构对于实现高性能垂直晶体管至关重要.
- 这些设备显示出未来高密度DRAM应用的巨大潜力.
