在混合量子纳米线中Sn的Epitaxially驱动的相选择性
Sabbir A Khan1,2, Sara Martí-Sánchez3, Dags Olsteins1
1Center for Quantum Devices, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen, 2100 Copenhagen, Denmark.
ACS nano
|June 15, 2023
概括
半导体纳米线的晶体结构决定了锡 (Sn) 阶段的形成,影响了混合材料中的超导性. 在纳米线上优化Sn增长是开发拓量子系统的关键.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 量子计算是一种量子计算.
背景情况:
- 混合半导体-超导体纳米线对于探索可调的超导和拓性质至关重要.
- 它们独特的结构使复杂量子材料的先进异构结构生长成为可能.
研究的目的:
- 调查 (Sn) 在抗氧化物 (InSb),甲抗氧化物 (InAsSb) 和甲 (InAs) 纳米线上的生长.
- 确定纳米线晶体结构如何影响Sn相形成 (半金属α-Sn与超导β-Sn).
- 了解混合系统中Sn相含量和超导性之间的关系.
主要方法:
- 在各种半导体纳米线上,锡的经轴生长.
- 使用先进的显微镜和光谱技术进行材料表征.
- 对Sn外的晶体结构和相组合的分析.
主要成果:
- 在As纳米线形成相纯超导β-Sn外.
- InSb和InAsSb纳米线产生混合的α-Sn和β-Sn外,β-Sn含量随着厚度的增加而增加.
- 这些混合系统中的超导性直接取决于β-Sn相分数.
结论:
- 纳米线晶体结构关键控制Sn阶段的形成和由此产生的超导.
- 这项研究为制造用于拓量子应用的高产率超导混合体提供了必要的见解.
