在SiC (0001 ̅) 上控制多层石墨烯的旋转角度,通过基板偏向和角度控制
Ryotaro Sakakibara1, Jianfeng Bao1, Naoki Hayashi1
1Department of Materials Science and Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan.
概括
现在可以控制在碳化 (SiC) 上的多层石墨烯旋转. 不同的SiC基板偏角精确调整石墨烯.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
背景情况:
- 在碳化 (SiC) (0001 ̅) 上生长的石墨烯通常会产生多层结构.
- 实现与SiC基板相对多层石墨烯的控制在平面内旋转一直是一个重大挑战.
研究的目的:
- 研究基板偏角和偏向对在SiC (0001 ̅) 上培养的石墨烯的内平面旋转和电子特性的影响.
- 探索控制在SiC基板上的多层石墨烯旋转角度的方法.
主要方法:
- 在离轴SiC (0001 ̅) 基板上的石墨烯生长具有不同的偏角 (0°至8°) 和特定偏向 ([112 ̅0]SiC和[11 ̅00]SiC).
- 系统地研究成长的石墨烯层的内平面旋转角度和电子结构.
主要成果:
- 与SiC相比,石墨烯的旋转30°变得不那么占主导地位,因为朝着 [112 ̅0]SiC方向的偏角增加了.
- 随着偏角的增加,旋转30±2.5°的石墨烯出现了.
- 在SiC基板上观察到石墨烯旋转角度的高均性,其偏角向[11 ̅00]SiC方向小.
结论:
- 由基板的偏向和角度决定的阶梯梯形结构,对于控制石墨烯的旋转角度至关重要.
- 这项研究表明了控制SiC基板上的多层石墨烯方向的途径,克服了以前的局限性.
