在Ti₃C₂T_x (MXene) 多电解质多层体中具有记忆效应

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术 纳米技术
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背景情况:

• 称为MXenes的二维材料正在获得电子应用的关注.
• 有限的研究存在于Ti3C2Tx MXene在惰性电极上的多电解质记忆体中.

研究的目的:

• 调查Ti3C2Tx MXenes与不同的分层剂合成的用于记忆器件的装置.
• 探索使用MXene-polyelectrolyte多层 (PEI/PSS) 的memristors的特性.

主要方法:

• 使用化和四甲基氧化合成Ti3C2Tx MXenes.
• PEI ((MXene) /PSS记忆装置的制造和表征.
• 密度函数理论 (DFT) 计算用于氧化还原潜力分析.

主要成果:

• PEI ((MXene) /PSS记忆电阻显示电压值 (VSET/RESET) 为1.5-2.0V. 这是一个非常好的方法.
• 实现了大约两个数量级的显著电流切换比率.
• 观察到的VSET/RESET差异为~4V,得到了DFT计算的支持.

结论:

• Ti3C2Tx MXenes 是适合用于多电解质记忆器的活性材料.
• 该PEI-Ti3C2Tx-PSS系统展示了高度功能,自组装的memristive设备的潜力.
• 这项研究有助于开发各种应用的memristor.