通过空间分离的协同兴奋剂,显著提高了InAs/GaAs量子点激光器在Si(001) 上的性能

科学领域:

• 半导体激光器半导体激光器
• 量子点技术 量子点技术是一种量子点技术.
• 光子学 光子学

背景情况:

• 甲/甲 (InAs/GaAs) 量子点 (QD) 激光器对于光子学至关重要.
• 提高这些激光器在基板上的性能和工作温度是一个关键的挑战.

研究的目的:

• 调查空间分离的协同兴奋剂对培养在Si(001) 上的InAs/GaAs QD激光器性能的影响.
• 展示增强的激光指标,包括值电流,输出功率和温度稳定性.

主要方法:

• 在Si上制造五个InAs QD层的波导激光器 (波导激光器).
• 在QD中同时实施n-doping,并在屏障层实施p-doping.
• 在室温和15°C~115°C的温度范围内对激光性能进行表征.

主要成果:

• 与p-doped单独激光相比,联合剂激光器的值电流减少了30.3%.
• 在室温下,共剂激光器的最大输出功率增加了25.5%.
• 联合合激光器表现出更好的温度稳定性,具有更高的特征温度 (T0和T1) 和稳定的连续波激光,最高可达115°C.

结论:

• 空间分离的协同兴奋剂是一种有效的技术,可以显著提高InAs/GaAs QD激光在上的性能.
• 这种方法导致更低的功耗,更高的温度稳定性和更高的操作温度.
• 这些发现突显了开发基于的先进光子集成电路的潜力.