概括
研究人员开发了第一种电注入的绝缘体上的发光二极管 (GOI). 这些新型LED在更高的温度下呈现出增强的光辐射,为新的光子应用铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 上绝缘体 (GOI) 是电子和光子设备的一个有前途的平台.
- 之前的研究集中在离散光子装置上,对印度政府电气注入的光源的探索有限.
- 需要高效和集成的基于的光源.
研究的目的:
- 在150毫米的印度政府基板上展示第一个垂直p-i-n发光二极管 (LED) 的制造.
- 调查这些新的印度政府LED的光电子特性,特别是它们的温度依赖的电光发光.
- 探索印度政府对于集成近红外光源的潜力.
主要方法:
- 在150毫米的GOI基板上制造垂直p-i-nLED,使用直接晶圆粘合和离子植入.
- 标识LED性能,包括电光发光 (EL) 和光发光 (PL) 频谱.
- 分析温度对EL/PL强度和峰值辐射波长的影响.
主要成果:
- 在150毫米的GOI晶圆上成功制造了高质量的LED.
- 证明了在室温下0.785 eV (~1580 nm) 附近的主导的直接带隙过渡峰值,归因于拉伸应变 (~0.19%).
- 随着温度的增加 (300-450K),观察到EL/PL强度的增强,由于光学限制的改善,1635nm附近的最大增强为140%.
结论:
- 这项工作证明了印度政府平台上电注入光源的可行性.
- 温度增强的电发光为基于的光电子产品提供了独特的优势.
- 印度政府开发的LED扩大了印度政府平台的功能能力,用于近红外传感,电子和光子应用.
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