通过离子植入技术,微型发光二极管显示器的电性能得到了改进
Yu-Hsuan Hsu1, Chi-Han Wang2, Xin-Dai Lin2
1Department of Photonics, College of Electrical and Computer Engineering, National Yang Ming Chiao Tung University, Xinzhu, 30010, Taiwan, ROC.
Discover nano
|June 29, 2023
概括
诱导合的等离子反应离子蚀刻 (ICP-RIE) 会导致微型发光二极管 (μLED) 的侧墙损坏. 使用As+的离子植入成功取代了ICP-RIE,改善了μLED的电特性并减少了非辐射重组.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 微型发光二极管 (μLED) 的制造通常使用ICP-RIE测量技术.
- ICP-RIE处理可能会导致侧墙损坏,对μLED性能和发射强度产生负面影响.
- 这种损伤导致了尺寸依赖的效应,并增加了μLED中的非辐射重组.
研究的目的:
- 调查离子植入作为ICP-RIE的替代方案,用于μLED面板制造.
- 为了减少侧墙损伤和μLED中的非辐射重组.
- 优化离子植入参数,以改善μLED电气特性.
主要方法:
- 利用As+离子植入来取代传统的ICP-RIE面板工艺用于μLED制造.
- 优化了As+植入器能量,特别是在40keV.
- 采用了从10到40keV的渐进式多能量植入过程.
主要成果:
- 通过优化As+植入制造的InGaN蓝色μLED实现了优异的电流-电压特性.
- 在40 keV时,证明了低前向电压 (3.2 V @ 1 mA) 和低泄漏电流 (10 ^ - 9 A @ - 5 V).
- 通过使用渐进式多能植入,同时保持低泄漏电流,进一步改进了电气性能 (3.1 V @ 1 mA).
结论:
- As+离子植入是ICP-RIE用于μLED面板制造的可行和有效的替代方案.
- 优化的离子植入显著提高了μLED性能,通过减少损伤和非辐射重组.
- 开发的离子植入技术为先进的μLED设备提供了卓越的电气性能.
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