在Si (111) 上的InGaN量子点的滴滴表达通过血辅助的分子束表达
Nurzal Nurzal1,2, Ting-Yu Hsu1, Iwan Susanto1,3
1Department of Materials Science and Engineering, National Dong Hwa University, Hualien, 97401, Taiwan.
Discover nano
|June 29, 2023
概括
用等离子体辅助的分子束表被用来研究通过滴滴表的化量子点 (InGaN QDs) 形成. 这种方法产生了适合长波长光电子设备的自组装InGaN QD.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 滴滴表观是一种制造量子点的技术.
- 化 (InGaN) 量子点对于光电子设备至关重要.
研究的目的:
- 通过使用等离子体辅助的分子束表观测来研究Si上的InGaN量子点 (QD) 的滴状表观测.
- 通过控制基质温度,沉积时间和化持续时间来了解InGaN QDs的生长机制.
主要方法:
- 利用等离子体辅助的分子束表达酶用于滴滴表达酶.
- 使用现场反射高能电子衍射 (RHEED) 来监测In-Ga合金滴滴转化为InGaN QD.
- 使用传输电子显微镜 (TEM) 和X射线光电谱 (XPS) 确认了QD形成.
主要成果:
- 成功形成了自组装的InGaN QD,密度为1.33 × 10 11 cm -2,平均尺寸为13.3 ± 3 nm,温度为350°C.
- 在可见红 (715 nm) 和红外 (795和857 nm) 区域观察到光发光辐射.
- 证明了从无形的In-Ga合金液滴转化为多晶InGaN QDs的过程.
结论:
- 滴滴表是一种可行的方法,用于生产具有可控密度和大小的InGaN QD.
- 由此产生的InGaN QD显示红色和红外光谱的辐射.
- 这种技术有可能用于开发长波长光电子设备.
