基于InGaN的红色微LED的结构和光学分析
Fu-He Hsiao1,2, Wen-Chien Miao1,2, Yu-Heng Hong1
1Semiconductor Research Center, Hon Hai Research Institute, Taipei, 11492, Taiwan.
Discover nano
|June 29, 2023
概括
化 (InGaN) 红色微型发光二极管 (微型LED) 中的V形坑可以减少重组损失. 量子井的深度定位提高了辐射效率,为改善InGaN微型LED性能铺平了道路.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 基于酸 (InGaN) 的微型发光二极管 (微型LED) 对于先进的显示技术至关重要.
- 由于各种损失机制,在红色微型LED中实现高效率仍然是一个重大挑战.
研究的目的:
- 综合分析基于InGaN的红色微LED的结构和光学特性,其V形孔密度很高.
- 调查V形坑和局部状态在提高排放效率方面的作用.
- 了解表生长对InGaN红色微型LED整体效率的影响.
主要方法:
- 基于InGaN的红色微LED的结构和光学性能分析.
- 取决于温度的光发光 (PL) 测量以研究局部状态.
- 详细分析V形坑密度及其与排放效率的相关性.
主要成果:
- 观察和分析了高密度的V形坑.
- 发现V形坑在减少非辐射重组方面具有优势.
- 红色双量子井的深度定位被证明可以限制载体逃逸并提高辐射效率.
结论:
- 在提高InGaN红色微型LED的效率方面,V形坑起着有益的作用.
- 量子井内的局部状态对于提高辐射效率至关重要.
- 这些发现为优化表生长提供了基础,以提高InGaN红色微型LED的性能.
