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Fu-He Hsiao1,2, Wen-Chien Miao1,2, Yu-Heng Hong1
1Semiconductor Research Center, Hon Hai Research Institute, Taipei, 11492, Taiwan.
化 (InGaN) 红色微型发光二极管 (微型LED) 中的V形坑可以减少重组损失. 量子井的深度定位提高了辐射效率,为改善InGaN微型LED性能铺平了道路.
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