CMOS兼容的2T像素用于在晶圆上的现场EUV检测
Wei-Hwa Lin1, Han-Lin Huang2, Pin-Jiun Wu3
1Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan. whlin.starlab@gapp.nthu.edu.tw.
Discover nano
|June 29, 2023
概括
一个新的2晶体管 (2T) 极紫外线 (EUV) 探测器提供了高光谱和空间分辨率. 这种CMOS兼容的探测器可以在没有外部电源的情况下实现在晶圆上的2DEUV流量映射.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 光电学是指光电子产品.
- 先进的材料先进的材料
背景情况:
- 极紫外线 (EUV) 光刻需要精确地在现场监测光分布.
- 现有的EUV检测方法往往缺乏用于晶圆应用所需的分辨率,稳定性或CMOS兼容性.
研究的目的:
- 为EUV应用提出和展示一种新的2晶体管 (2T) 像素探测器.
- 在EUV探测器中实现高光谱范围,空间分辨率和CMOS兼容性.
- 为了使在晶圆上2DEUV流量分布记录无需外部电源.
主要方法:
- 使用先进的CMOS技术开发了一种新的2T像素.
- 通过适当的初始化过程,研究EUV诱导的放电机制.
- 建立EUV诱导的电子排放效率模型.
- 制造和测试2T EUV检测器像素的2D阵列.
主要成果:
- 拟议的2T EUV探测器显示了高光谱范围 (<267 nm) 和空间分辨率 (67 μm).
- 该探测器具有高稳定性和无的CMOS兼容性.
- 在没有外部电源的情况下实现了2D EUV流量分布的晶圆上记录.
- 成功建立了EUV诱导的电子排放效率模型.
结论:
- 新型2T EUV探测器是高分辨率,现场EUV流量监测的可行解决方案.
- 展示的2D阵列准确地反映了芯片/晶圆表面上的投射模式.
- 这项技术提升了EUV石版的工艺控制能力.
