从元素B和N来源的等离子体辅助分子束表达氧化物对片的二维化生长
Walter Batista-Pessoa1, Xavier Wallart1, Dominique Vignaud1
1Université de Lille, CNRS, Centrale Lille, Junia Isen, Université Polytechnique Hauts de France, UMR 8520-IEMN F-59000 Lille, France.
Nanotechnology
|July 5, 2023
概括
优化等离子体辅助的分子束表对于二维sp2结合化 (2D-BN) 需要仔细控制前体流和温度. 在适度富含B到富含N的条件下,在900°C的温度下达到稳定度的2D-BN生长,质量最佳.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 薄膜增长 薄膜的增长
背景情况:
- 二维sp2结合化 (2D-BN) 是一种具有独特电子和机械性能的有前途的材料.
- 等离子体辅助分子束表 (MBE) 可以精确控制薄膜沉积.
研究的目的:
- 通过使用等离子体辅助MBE,研究生长参数对2D-BN质量的影响.
- 为了确定基基板上2D-BN生长的最佳条件和优质的2D-BN生长条件.
主要方法:
- 在等离子辅助MBE设置中使用独立的和源.
- 系统地改变了B/N前体流量比,生长温度和时间.
- 对于表面形态学,石化学和域大小的特征性膜.
主要成果:
- 静态度2D-BN薄膜得到了前体流量比,从中度B丰富到N丰富.
- 为了提高晶体质量的最佳生长温度被确定为900°C.
- 增长过程是通过BN域的堆叠而不是层次的堆叠,并缓慢地横向域扩展.
结论:
- 等离子体辅助的MBE允许对2D-BN进行受控的合成.
- 增长温度和前体流量比对于实现立体测量和高质量的2D-BN至关重要.
- 了解域叠加增长机制对于扩大2D-BN生产至关重要.
