有效的化学提升空中道GaN在形图案蓝宝石基板上的有效化学提升
Min-Joo Ahn1, Kyu-Yeon Shim1, Woo-Seop Jeong1
1Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea.
Micromachines
|July 8, 2023
概括
这项研究引入了一种新的空气道结构,用于快速化学提升化 (GaN) 层. 这种方法有助于高效地将GaN模板与有图案的蓝宝石基板分离.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 化 (GaN) 是光电子和电子设备的关键材料.
- 目前用于GaN层分离的方法可能是低效或昂贵的.
- 有图案的蓝宝石基板 (PSS) 常用于GaN表层.
研究的目的:
- 为GaN层开发一种快速高效的化学提升 (CLO) 方法.
- 在GaN和梯形图案蓝宝石基板 (TPSS) 之间制造一个空气道结构.
- 为了研究GaN模板的结构和光学特性,使用气道.
主要方法:
- 在现场碳化一个光电阻层,以创建一个空气道.
- 在TPSS上使用金属有机化学蒸气沉积 (MOCVD) 选择性GaN表轴侧增长.
- 用X射线衍射 (XRD),光发光 (PL) 和拉曼光谱来进行材料特征.
- 化学提升 (CLO) 使用氧化 (KOH) 溶液.
主要成果:
- 在GaN和TPSS之间成功制造了一个空中道结构.
- 空气道结构在GaN上和碳化后保持完整.
- XRD,PL (364 nm峰值) 和拉曼光谱证实了GaN表皮质的质量.
- 通过CLO实现了GaN模板与TPSS的高效分离.
结论:
- 开发的空气道制造方法使GaN层的快速CLO成为可能.
- 这种技术为成本效益高的GaN模板生产提供了一个有前途的方法.
- 该方法适用于基于GaN的设备制造,需要去除基板.
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