颗粒状L10-FePt薄膜的偏差喷雾与六边形化颗粒边界具有偏差喷雾
Chengchao Xu1,2, B S D Ch S Varaprasad3,4, David E Laughlin3,4,5
1Data Storage Systems Center, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, 15213, USA. chengchx@andrew.cmu.edu.
Scientific reports
|July 8, 2023
概括
研究人员开发了用于热辅助磁记录 (HAMR) 的新型FePt-(h-BN) 纳米结构. 六角化粒边界促进 FePt 柱状的生长,使其具有高热稳定性和优良的磁性,用于先进的数据存储.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 磁记录技术 磁记录技术 磁记录技术
背景情况:
- 热辅助磁记录 (HAMR) 需要具有高热稳定性和受控微观结构的材料.
- 基于FePt的合金对HAMR具有前景,因为它们具有很高的磁性异构性.
- 控制谷物生长和边界阶段对于优化FePt性能至关重要.
研究的目的:
- 调查晶体化 (BN) 作为HAMR的L1亚0-FePt薄膜中的颗粒边界材料的使用.
- 了解射频基质偏差对BN粒边界的形成和结构的影响.
- 为了评估HAMR应用所产生的纳米结构和磁性质.
主要方法:
- 对L1亚0-FePt颗粒膜的实验研究.
- 在高温下使用喷射与射频基板偏差 (V sub DC = -15 V) 的制造.
- 粒度边界材料,纳米结构和磁性歇斯底里性质的表征.
主要成果:
- 射频基板偏差的应用导致了六边形化 (h-BN) 纳米板在谷物边界的形成.
- h-BN单层封装了单个FePt颗粒,促进了柱状生长,形成了核心的FePt-{\ h-BN}纳米结构.
- 由于h-BN的热稳定性,可以达到高沉积温度 (高达650摄氏度),从而为FePt L1子0阶段产生高顺序参数.
- 获得了优秀的颗粒微结构,FePt颗粒直径为6.5nm,高度为11.5nm,具有良好的磁性歇斯底里.
结论:
- 在HAMR应用中,FePt-h-BN) 纳米结构非常有前途.
- 使用h-BN作为谷物边界材料有助于控制谷物生长,并增强热稳定性.
- 制造的薄膜显示出优秀的微观结构和磁性特性,适合高密度数据存储.
