温度场优化的数值模拟,以通过Na-Flux方法增强GaN晶体生长中的转移
Wenxiao Wu1, Gemeng Huang2, Ronglin Pan1
1Key Laboratory for Optoelectronics and Communication of Jiangxi Province, Jiangxi Science & Technology Normal University, Nanchang 330038, China.
ACS omega
|July 10, 2023
概括
通过底环加热优化温度场,通过Na-flux方法增强气运输,以实现更快的化 (GaN) 晶体生长. 这种方法还将多晶缺陷降到最低,指导未来的液相晶体生长.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 晶体的成长 晶体的成长
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
背景情况:
- 有效的运输是提高化 (GaN) 晶体生长率的关键,使用流 (Na-flux) 方法.
- 了解运输机制对于优化GaN晶体生产至关重要.
研究的目的:
- 通过Na-flux方法研究GaN晶体生长期间的运输机制.
- 提出和验证一种新的底环加热方法,以优化温度场,增强转移.
- 为了加快GaN晶体的生长速度并减少多晶体生成.
主要方法:
- 使用数值模拟来建模气运输和温度场.
- 进行了实验验证,以支持模拟发现.
- 开发并模拟了一种新的底环加热策略.
主要成果:
- 温度场显著影响转移效率.
- 通过底环加热优化温度场促进对流,增强从气液接口到GaN生长表面的气转移.
- 优化的温度场有效地减少了壁的多晶体形成.
结论:
- 提出的底环加热方法成功地优化了温度场,从而提高了的运输和加快了GaN晶体的生长.
- 这种优化的方法最大限度地减少了多晶体缺陷,提高了晶体质量.
- 这些发现为优化超越GaN的液相晶体生长方法提供了宝贵的见解.
