狭带热特拉赫兹辐射来自同位素的GaAs结构与Ti/Au地表合的狭带热特拉赫兹辐射
Ignas Grigelionis1, Vladislovas Čižas1, Mindaugas Karaliūnas1
1Center for Physical Sciences and Technology, Saulėtekio Ave. 3, 10257 Vilnius, Lithuania.
Sensors (Basel, Switzerland)
|July 11, 2023
概括
我们展示了来自GaAs超表面的热特拉赫兹 (THz) 辐射,由磁极子 (MP) 激发控制. 这为集成THz发射器与光电子设备提供了一条途径.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 太赫兹 (THz) 光子学
- 超材料是指一种超材料.
背景情况:
- 热太赫兹 (THz) 发射器对于各种应用至关重要.
- 现有的发射器经常使用金属绝缘体金属 (MIM) 堆,限制了整合.
- 磁极子 (MP) 激发提供了一个定制THz发射的途径.
研究的目的:
- 通过MP激发量身定制的热THz发射进行实验证明.
- 为了研究基于GaAs的结构与THz排放的元表面.
- 探索这些发射器与GaAs光电子的集成潜力.
主要方法:
- 制造具有TiAu正方形元面的N-GaAs/GaAs/TiAu结构.
- 使用有限差异时间域 (FDTD) 模拟的优化.
- 通过室温反射率测量和在390°C的热辐射实验进行表征.
主要成果:
- 观察到的共振反射率下降和辐射率峰值在0.7 THz和1.3 THz之间.
- 证明了狭窄的发射带宽 (低至0.19 THz) 和第三激发.
- 在模拟,实验和同等的LC电路模型之间取得了良好的一致性.
结论:
- 在GaAs的超表面中使用MP激发成功证明了可调节的热THz发射.
- 使用n-GaAs基板可以与GaAs光电子设备进行集成.
- 在高温下达到高质量系数 (Q≈3.35.2),与MIM结构相比.
