对光学扰乱的CdTe辐射探测器进行电场映射
Adriano Cola1, Lorenzo Dominici2, Antonio Valletta3
1Institute for Microelectronics and Microsystems, IMM-CNR, Via Monteroni, 73100 Lecce, Italy.
Sensors (Basel, Switzerland)
|July 11, 2023
概括
我们用波克尔斯效应绘制了 Telluride (CdTe) 探测器中的电场. 这揭示了光学束如何扰乱场,证实了探测器性能模型.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 探测器物理学的物理
背景情况:
- 电场的分布对于辐射探测器的运行至关重要.
- 内部空间电荷的积累可能会损害探测器的功能.
- 了解电场动态是提高探测器性能的关键.
研究的目的:
- 在Schottky CdTe探测器中研究二维电场.
- 分析由光束暴露引起的电场扰动.
- 验证一个解释场动态和探测器偏振的模型.
主要方法:
- 利用波克尔斯效应对电场进行电光成像.
- 开发了一个定制的处理程序,用于电场向量地图提取.
- 在CdTe探测器上执行电压偏差和光学曝光序列.
主要成果:
- 成功地绘制了阳极电极上的电场局部干扰.
- 在电压偏差和光学曝光期间观察电场的动态.
- 结果与数值模拟一致,证实了两级深层模型.
结论:
- 两级模型准确地描述了扰动电场的时间和空间动态.
- 这种方法提高了对CdTe Schottky探测器中非平衡电场的理解.
- 该方法可以预测和改善未来探测器设计的性能.


