中子辐射对化基陶的影响,用于X射线检测
Zhiyuan Chen1, Yujie Yang2, Fang Yao2
1Hubei Key Laboratory of Radiation Chemistry and Functional Materials, School of Nuclear Technology and Chemistry & Biology, Hubei University of Science and Technology, Xianning, Hubei 437100, China.
ACS applied materials & interfaces
|July 11, 2023
概括
宽带间隙陶 - 化显示出X射线检测的优异抗辐射性能. 这种材料在照射后保持电荷传输特性,为敏感的X射线探测器提供了更好的稳定性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 辐射检测检测器可以检测到辐射.
背景情况:
- 使用大原子数半导体的传统X射线探测器在高剂量电离辐射下稳定性不佳.
- 对于先进的X射线检测应用,需要耐辐射材料.
研究的目的:
- 为了研究宽带间隙陶-化对于敏感的X射线检测的潜力.
- 为了评估化在中子和电子辐射下的抗辐射和稳定性.
主要方法:
- 在化样本上进行了系统的中子和电子衰老实验.
- 在辐射后分析了基本材料特性和电荷传输特性.
- 使用化制造了X射线探测器,并评估了它们的性能指标.
主要成果:
- 化样本表现出对电离辐射的优异抵抗力.
- 即使经过大量的中子辐射,电荷传输特性也保持不变.
- 制造的X射线探测器在中子衰老后表现出体面的性能和改善的操作稳定性.
结论:
- 由于其辐射硬度,宽带间隙陶-化是敏感的X射线检测的有希望的材料.
- 化探测器显示出对现实应用的潜力,需要在辐射下保持高稳定性.


