在Si\SiO2上沉积ZnO的区域选择性原子层,其修饰为Tris ((dimethylamino) methylsilane
Behnam Moeini1, Tahereh G Avval1, Hidde H Brongersma2
1Department of Chemistry and Biochemistry, Brigham Young University, Provo, UT 84602, USA.
Materials (Basel, Switzerland)
|July 14, 2023
概括
氧化 (ZnO) 的区域选择性原子层沉积 (ALD) 是通过使用三二甲基胺基 (TDMAMS) 作为二氧化表面的抗体而实现的. TDMAMS有效地抑制ZnO ALD,使先进材料应用的选择性沉积成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 表面化学 表面化学
背景情况:
- 原子层沉积 (ALD) 是薄膜制造的关键技术.
- 面积选择性ALD (AS-ALD) 需要有效的表面被动化层.
- 二氧化 (Si\SiO2) 表面是半导体制造中常见的基板.
研究的目的:
- 为了实现氧化 (ZnO) 的面积选择性ALD (AS-ALD).
- 为了研究tris ((dimethylamino) methylsilane (TDMAMS) 的有效性,作为Si\SiO2上的AS-ALD的抗体.
- 为了评估TDMAMS电阻层的热稳定性.
主要方法:
- 在Si\SiO2上沉积TDMAMS电阻,使用自制的气相反应堆.
- 在商业ALD系统中使用二甲基 (DMZ) 和H2O的ZnO ALD.
- 使用光谱圆测量 (SE),X射线光电子光谱 (XPS) 和高灵敏度/低能量离子散射 (HS-LEIS) 的表面表征.
主要成果:
- 在Si\SiO2上成功地进行了ZnO的AS-ALD,并用TDMAMS结束了.
- TDMAMS有效地使Si\SiO2表面被动,从而抑制ZnO核化.
- 评估了TDMAMS的热稳定性,观察到空气与N2加热的差异.
结论:
- TDMAMS是一种可行的小分子抑制剂,用于Si\SiO2上的ZnO的AS-ALD.
- 这种方法使选择性ZnO沉积成为可能,这对于先进的微电子制造至关重要.
- 这项研究展示了一种实际的方法来控制纳米级的ALD生长.
关键词:
ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO ZnO区域选择性的选择性区域.原子层沉积的原子层沉积.抑制剂抑制剂的作用西兰 (Silane) 的意思是"静态的".是一种.更多相关视频
08:14Improved Heterojunction Quality in Cu2O-based Solar Cells Through the Optimization of Atmospheric Pressure Spatial Atomic Layer Deposited Zn1-xMgxO
Published on: July 31, 2016
12.3K
06:39Aerosol-assisted Chemical Vapor Deposition of Metal Oxide Structures: Zinc Oxide Rods
Published on: September 14, 2017
13.2K
