关于最佳氧化厚度作为近紫外线发光二极管透明导电电极的研究
1School of Electronics and Electrical Engineering, Department of Foundry Engineering, Convergence Semiconductor Research Center, Dankook University, Yongin-si 16890, Republic of Korea.
Materials (Basel, Switzerland)
|July 14, 2023
概括
在近紫外线 (NUV) 发光二极管 (LED) 中,氧化物 (ITO) 透明电极的最佳厚度为110 nm. 这种厚度,具有特定的化,通过平衡透射率和电阻来最大限度地提高性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 氧化 (ITO) 是光电子设备的关键透明导电材料.
- 优化ITO属性对于提高近紫外线 (NUV) 发光二极管 (LED) 的效率至关重要.
- 在GaN/AlGaInN的异构结构是高性能NUV LED的基础.
研究的目的:
- 为了确定NUV LED的ITO薄膜的最佳厚度.
- 调查退火对ITO薄膜性能和设备性能的影响.
- 为了确定ITO特征 (透射率,板电阻) 和NUV LED效率之间的相关性.
主要方法:
- ITO薄膜的制造和表征,其厚度在30~170nm之间.
- 在550°C进行1分钟的回火研究,以优化ITO薄膜.
- 在NUV地区对光学传导率和电板电阻的评估.
- 具有不同厚度的ITO的NUVLED的制造和性能测试.
主要成果:
- 一种厚度为110nm的ITO薄膜,在550°C下1分钟冷却,产生了最高的功效 (FOM).
- 优化的110nm ITO薄膜在385nm时表现出89.0%的透射率和131 Ω/□的板电阻.
- 使用110nm ITO膜的NUV LED显示,与其他厚度相比,50mA的光输出功率增加了48%.
- 在不同厚度的ITO中保持了20mA的持续前向电压.
结论:
- 110纳米的ITO薄膜厚度是基于InGaN/AlGaInN的NUVLED的最佳选择.
- 退火对于实现卓越的ITO薄膜性能,平衡光学和电气性能至关重要.
- 优化的ITO电极显著提高了NUV LED的光输出功率.
