通过电沉积技术自组装的兰氧化物纳米片用于电阻切换记忆和人工突触器件
Pradnya P Patil1, Somnath S Kundale1, Shubham V Patil2
1Computational Electronics and Nanoscience Research Laboratory, School of Nanoscience and Biotechnology, Shivaji University, Kolhapur, 416004, India.
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
|July 14, 2023
概括
兰氧化物 (La2O3) 薄膜被用于电阻开关 (RS) 装置的电子沉积. 这些电影对记忆和神经形态计算具有前景,因为它们具有稳定的双极RS特征和生物突触功能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态电子 固态电子
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 金属氧化物被广泛研究为电阻开关 (RS) 设备的固体电解质.
- 兰氧化物 (La2O3) 在RS应用中仍然相对未被探索,这为新型研究提供了机会.
研究的目的:
- 为了电子沉积La2O3切换层,并研究它们的电阻切换特性.
- 评估La2O3在记忆和神经形态计算应用中的潜力.
- 为了阐明基于La2O3的设备中的电阻切换机制.
主要方法:
- 在La2O3切换层的电解位.
- 使用分析技术,电化学阻抗光谱 (EIS) 和Mott-Schottky分析进行表征.
- 对电阻切换特性,耐久性,保留性和生物突触性质的评估.
主要成果:
- 已制造的设备表现出稳定的双极电阻切换,具有出色的耐用性和保留性.
- La2O3 层表现出 n 型半导体行为.
- 设备成功地模仿突触功能,如潜能抑制和配对脉冲促进.
- 建议采用基于线程的电阻开关机制.
结论:
- 电子沉积的La2O3是一种可行的固体电解质,用于电阻开关应用.
- 基于La2O3的设备显示出对非易失性记忆和大脑启发的计算的巨大潜力.
- 该研究强调了La2O3作为未来电子设备的有希望的材料.
