CoF₂,NiF₂和HoF₃薄膜的原子层沉积

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 薄膜沉积的情况
• 纳米技术 纳米技术

背景情况:

• 原子层沉积 (ALD) 对于精确的薄膜制造至关重要.
• 金属化物在各种先进的应用中至关重要.
• 开发用于金属化物的新ALD工艺是一个活跃的研究领域.

研究的目的:

• 开发和描述CoF2,NiF2和HoF3薄膜的ALD过程.
• 研究前体和沉积温度对薄膜特性的影响.
• 评估沉积膜的纯度和结构特征.

主要方法:

• 原子层沉积 (ALD) 用于薄膜合成.
• 使用了诸如CoCl2 (TMEDA),NH4F,Ni (thd) 2,TaF5,NbF5和Ho (thd) 3这样的前体.
• 飞行时间能量反弹检测分析 (ToF-ERDA) 和X射线衍射 (XRD) 用于表征.

主要成果:

• 实现了具有低杂质 (<1在%N,Cl) 和F/Co比接近2的四角形CoF2薄膜.
• 在NiF2膜中,氧气和气含量很高 (高达11%).
• 使用NbF5.5.成功地沉积了含有最小Nb (<0.22%) 和氧 (<1.7%) 杂质的纯正奥托罗姆比克HoF3薄膜.

结论:

• 成功建立了CoF2,NiF2和HoF3薄膜的ALD过程.
• 前体的选择显著影响片的纯度,特别是对于NiF2.
• NbF5被认为是沉积高质量的HoF3薄膜的有前途的前体.