实施热和紫外线纳米印记光刻法,用于选择性区域表层化
Antonia Hager1, Lucas Güniat1, Nicholas Morgan1
1Laboratory of Semiconductor Materials, Institute of Materials, École Polytechnique Fédérale de Lausanne, Switzerland.
Nanotechnology
|July 26, 2023
概括
纳米印记光刻法 (NIL) 提供了一种具有成本效益的方法,用于模拟半导体纳米线 (NW). 紫外线NIL对于100nm以下面罩特征的晶圆尺度制造优越,使得基于NW的可扩展设备成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术纳米技术
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 可扩展的半导体纳米线 (NW) 设备需要水平配置.
- 通过选择性区域表皮氧 (SAE) 的自下而上的制造取决于精确的纳米图案.
- 电子束光刻提供了准确性,但缺乏大规模生产的经济可行性.
研究的目的:
- 为了比较热和UV纳米印记光刻法 (NIL) 用于选择性区域表皮 (SAE) 的基板的图案.
- 评估每种用于NW制造的NIL技术的优缺点.
- 为了证明高质量的半导体NWs的表轴生长,使用NIL模式的基板.
主要方法:
- 使用热和紫外线纳米印记光刻法 (NIL) 进行基板纳米纹理.
- 对 (Ge) 和化 (GaAs) 纳米线生长进行了选择性区域表 (SAE).
- 分析了图案特征和成长的纳米结构的质量和统一性.
主要成果:
- 热和紫外线NIL都成功地产生了适合SAE的小,均的结构.
- 在晶圆尺度上,UV NIL在模拟亚-100nm面罩特征方面表现出优越性.
- 高质量的单晶Ge和GaAs纳米线在NIL图案的基板上经过表轴生长.
结论:
- 紫外线纳米印记光刻 (NIL) 是用于晶圆尺度纳米图案的可靠和高效的技术.
- 紫外线NIL使半导体纳米线 (NW) 设备的可扩展制造通过选择性区域表皮氧化 (SAE).
- 这项工作突出了UV NIL作为电子束光刻的有希望的替代方案,以实现经济高效的NW制造.
关键词:
MOVPEPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE MOVPE紫外线 UV NIL 在线横向纳米线的使用方法纳米印记 lithography 石版印刷 的使用.选择性区域的表皮质素 (epitaxy).热量 NIL 在 NIL 中.
