后腔形态学的个体间差异会影响小脑tDCS诱导的电场强度
Roderick P P W M Maas1, Jennifer Faber2,
1Department of Neurology, Donders Institute for Brain, Cognition, and Behaviour, Radboud University Medical Center, Nijmegen, the Netherlands.
概括
诸如皮肤-小脑距离和后角等解剖学因素影响小脑横直流刺激 (tDCS) 电场强度. 电极安装也会影响电场特性,影响tDCS的可预测性.
科学领域:
- 神经科学是一个神经科学.
- 医疗成像医学成像
- 生物物理学的生物物理.
背景情况:
- 大脑小脑横直流刺激 (tDCS) 的效果显示出很高的可变性.
- 由于不一致的反应,预测tDCS结果具有挑战性.
研究的目的:
- 调查小脑tDCS电场强度与后腔解剖学和皮肤-小脑距离的关系.
- 为了比较头脑和脑外电极配置之间的场特征.
主要方法:
- 在37个MRI头部模型上模拟小脑tDCS.
- 在感兴趣的小麦片区域测量电场强度.
- 分析了场强度,形态参数和皮肤-小脑距离之间的关联.
主要成果:
- 皮肤-小脑距离和Pons角度预测了前/后体中的场强度.
- "小脑角"和皮肤-小脑距离影响了小脑半球中的场强度.
- 前极式安装产生了最高的场强度,下部安装最低;脑外电极显示出更高的焦点.
结论:
- 个体的后腔解剖学和皮肤-小脑距离有助于大脑tDCS电场强度的变化.
- 脑外参考电极导致较低的场强度和较高的焦点相比,脑外组装中线大脑小脑tDCS.
