兰氧化 (LaNiO3-x) 薄膜的首次重置和多位级电阻切换行为

Daewoo Kim1, Jeongwoo Lee1, Jaeyeon Kim1

  • 1Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea.

PubMed
概括

这项研究探讨了对抗性随机访问存储器 (RRAM) 的LaNiO3-x薄膜. 这些片显示了多层存储和模拟计算的前景,而无需电成型步骤.