使用大气等离子蚀刻对碳化晶片的表面修改:处理参数的影响
Qi Jin1,2, Julong Yuan1,2, Jianxing Zhou1,2
1Ultra-Precision Machining Centre, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310014, China.
Micromachines
|July 29, 2023
概括
大气等离子处理为碳化晶圆表面修改提供了一种有效的方法. 确定了最佳参数,以快速,无损地去除材料,这对于半导体制造至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面工程是什么?表面工程是什么?
- 等离子体物理学的物理学
背景情况:
- 碳化 (SiC) 晶片是先进的半导体设备的关键基材.
- 的固有硬度和惰性对表面加工提出了重大挑战.
- 需要有效,无损的方法来修改SiC晶圆表面.
研究的目的:
- 为了研究大气等离子处理用于碳化晶圆表面的修改.
- 为了确定各种工艺参数对材料去除率的影响.
- 为了确定快速和均的SiC晶片表面蚀刻的最佳参数.
主要方法:
- 使用大气等离子体对SiC晶片进行点居实验.
- 过程参数的系统变化:Ar,CF4和O2流量,功率和火到工件的距离.
- 坐标实验以确定基于衍生影响定律的最佳处理条件.
主要成果:
- 该研究确定了大气等离子蚀刻SiC的特定最佳参数.
- 在550W输入功率和3.5mm处理距离下实现的最大体积去除速率.
- 最佳气体流量为Ar的15SLM,CF4的70SCCM,O2的20SCCM.
结论:
- 大气等离子处理是有效修改SiC晶圆表面的可行技术.
- 确定了最佳参数,可以快速和均地去除材料,解决加工挑战.
- 这项研究为半导体制造中先进的SiC晶圆表面处理提供了基础.
