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Updated: Jul 21, 2025

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Fabrication of Spatially Confined Complex Oxides
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用自组装单层的Cu-Cu热压缩粘合作为3D/2.5D系统集成的氧化保护
Maria Lykova1,2, Iuliana Panchenko2,3, Martin Schneider-Ramelow4
1Fraunhofer Institute for Electronic Nanosystems ENAS, 09126 Chemnitz, Germany.
Micromachines
|July 29, 2023
概括
本研究引入了一种自组装单层 (SAM) 消极化方法,以防止微电子中的铜 (Cu) 氧化. SAMs显著降低了铜氧化,并改善了直接的铜-铜互连,提高了设备的可靠性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面化学 表面化学
- 微电子工程 微电子工程
背景情况:
- 铜 (Cu) 互连对微电子至关重要,使得更小,更密集的设备成为可能.
- 铜对氧化的敏感性对其广泛应用提出了重大挑战.
- 现有的被动化方法面临着降解和去除困难等问题.
研究的目的:
- 调查自组装单层 (SAM) 对铜被动化的有效性.
- 为应对与SAM降解和去除Cu-Cu结合有关的挑战.
- 提高直接铜铜互连的质量和可靠性.
主要方法:
- 热压缩 (TC) 粘合方式
- 用于表面分析的X射线光电子谱学 (XPS).
- 切割强度测试用于粘合质量的粘合质量.
- 扫描电子显微镜 (SEM) 和能量分散式X射线光谱 (EDX) 用于材料表征.
主要成果:
- 经过三周的冷藏后,SAM受铜与裸铜 (27at.%) 相比,氧化程度最低 (4at.%) .
- 通过SAM被动化样品的TC粘合显示了切削强度的显著改善.
- 被动化样品的平均切削强度达到65.5MPa,与储存后的裸铜相比增加了43%.
结论:
- 自组装单层有效抑制铜氧化,保持表面完整性.
- SAM被动化提高了直接铜-铜互连的性能和可靠性.
- 该方法为改善微电子行业的互连质量提供了可行的解决方案.
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