在Si (111) 上的三角形和正角形双石薄膜的相位选择性表 (111)
Abdur Rehman Jalil1,2,3, Xiao Hou2,4, Peter Schüffelgen1,2
1Peter Grünberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich, Germany.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|July 29, 2023
概括
高品质的木 (Bi) 薄膜与可控制的阶段,使用分子束表生长. 这一突破使得拓和神经形态设备的进步成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 薄膜技术 薄膜技术
背景情况:
- (Bi) 薄膜在热电学,铁电学和拓学/神经形态应用中具有潜力.
- 实现高质量的Bi薄膜异构体的受控生长仍然是一个重大挑战.
- 以前的方法导致了质量不佳的皮层,表面形态不佳.
研究的目的:
- 系统地研究并使双薄膜的高质量增长成为可能.
- 开发一个不同Bi薄膜等离子体的相位图.
- 为高级应用提供制造所需Bi相的配方.
主要方法:
- 在双终端Si (111) 1 × 1表面上,分子束表 (MBE) 的生长.
- 用X射线衍射 (XRD) 来进行相位分析和表征.
- 扫描传输电子显微镜 (STEM) 为深入的结构理解.
主要成果:
- 在特定基板上成功生长Bi epilayers的高质量生长.
- 开发一张相位图,识别三角形,正角形和伪立方形的Bi全方位.
- 对相分离,稳定性,转换和厚度限制的全面了解.
结论:
- 建立了实现高质量的双薄膜与所需相的配方.
- 这项工作为量子和神经形态设备的Bi进行了可扩展的改进.
- 现在可以重新审视过去对双薄膜的技术建议.
