带结构SiO2片对基于AlN和基于AlN/钻石的羔羊波振器的贡献
Mohammed Moutaouekkil1,2, Jérémy Streque3, Othmane Marbouh1
1University of Lille, CNRS, Centrale Lille, Univ. Polytechnique Hauts-de-France, UMR 8520-IEMN, F-59000 Lille, France.
Sensors (Basel, Switzerland)
|July 29, 2023
概括
使用化 (AlN) 和二氧化 (SiO2) 的新型共振器设计实现了高性能和温度补偿. 这些结构非常适合在恶劣环境中进行强大的传感应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 声学 声学 在声学方面
背景情况:
- 在各种电子应用中,共振结构至关重要.
- 化 (AlN) 薄膜由于其压电特性而广泛使用.
- 二氧化 (SiO2) 经常用于结构和被动化层.
研究的目的:
- 从理论上分析基于AlN的Lamb模式共振器的新设计.
- 研究SiO2结构元素对共振器性能的影响.
- 为了实现温度补偿,高性能共振器结构.
主要方法:
- 有限元法 (FEM) 用于理论分析.
- 不同数字间传感器 (IDT) 配置的比较.
- 结构参数和边界条件的变化.
主要成果:
- 与连续层相比,结构化的SiO2封顶显著提高了共振器性能.
- 带状结构的SiO2封闭使温度补偿,高性能共振器成为可能.
- 添加一个钻石层进一步提高速度,机电合和膜坚固性,同时保持零TCF.
结论:
- 具有结构化SiO2封闭的新型AlN共振器设计提供了卓越的性能.
- 这些结构具有出色的温度补偿和强度.
- 消极效益使这些共振器非常适合在恶劣环境中进行传感.
