垂直通道薄膜晶体管装置的研究进展
Benxiao Sun1,2, Huixue Huang1,2, Pan Wen1,2
1School of Microelectronics, Shanghai University, Shanghai 201800, China.
Sensors (Basel, Switzerland)
|July 29, 2023
概括
垂直通道薄膜晶体管 (V-TFT) 克服了传统TFT的小型化限制. 本次审查涵盖了V-TFT结构,材料,传感中的应用以及未来的趋势.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 薄膜晶体管 (TFT) 对于显示器和电子设备至关重要.
- 对于传统的平面结构来说,TFT的小型化面临着挑战.
- 使用当前的光刻法,很难实现1μm以下的通道长度.
研究的目的:
- 引入垂直通道薄膜晶体管 (V-TFT) 作为解决小型化限制的解决方案.
- 总结V-TFT结构类型,参数和制备方法.
- 审查V-TFT活性层材料,特性和传感应用.
主要方法:
- 关于V-TFT研究的文献综述.
- 对V-TFT结构类型和制备技术的分析.
- 对V-TFT材料进步和性能特征的概述.
主要成果:
- V-TFT为克服小型化限制提供了有效的解决方案.
- 不同的V-TFT结构和制备方法会影响设备的性能.
- V-TFT显示了先进传感应用的巨大潜力.
结论:
- V-TFT为下一代电子和传感器提供了一个有前途的途径.
- 解决当前的技术挑战是V-TFT发展的关键.
- 未来的趋势表明,V-TFT设计和应用的创新将继续.
