用于主动矩阵显示器的薄膜晶体管和量子点发光二极管的最佳设计配置
Geun Woo Baek1, Seung Gi Seo2, Donghyo Hahm3
1Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center and Soft Foundry Institute, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|July 29, 2023
概括
这项研究证明了使用单壁碳纳米管薄膜晶体管 (SWNT TFTs) 的高效和稳定的活性矩阵量子点发光二极管 (AM-QLEDs). 优化的配置实现了高的外部量子效率和运行寿命,为先进显示器铺平了道路.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电子工程 电子工程
- 显示技术 显示技术
背景情况:
- 活性矩阵量子点发光二极管 (AM-QLED) 对于下一代显示器至关重要.
- 在设备设计,制造和集成QLED和薄膜晶体管 (TFT) 方面存在挑战.
研究的目的:
- 通过使用基于单壁碳纳米管 (SWNT) 的TFT来证明高效和稳定的AM-QLED.
- 为了比较四个QLED-TFT子像素配置,以获得最佳的性能和制造.
- 优化QLED和TFT,以提高AM-QLED的性能.
主要方法:
- 使用p型和n型SWNT TFT的传统 (C-QLED) 和倒置 (I-QLED) 结构.
- 评估了四个QLED-TFT子像素配置.
- 优化量子点内部外组成和TFT载体类型.
主要成果:
- 实现了C-QLED的最大外部量子效率21.2%,I-QLED的最大外部量子效率为19.1%.
- 经过证明的3810万小时 (C-QLED) 和13310万小时 (I-QLED) 的运行寿命在100cd/m2.
- 成功制造了一个由SWNT TFTs控制的5x5 AM-QLED显示阵列.
结论:
- 该研究成功地证明了优化的AM-QLED具有高性能和稳定性.
- 确定了QLED-TFT集成的理想配置.
- 这项工作有助于AM-QLED显示技术的进步.


