SiC(0001) Pb退,Moiré

Yong Han1,2, Shen Chen1,2, Joseph Hall1,2

  • 1Ames National Laboratory, Ames, Iowa 50011, United States.

概括

密度函数理论和表面衍射揭示了在SiC上的石墨烯下多个稳定,低能量的 (Pb) 配置. 这些不同的地下Pb阶段在450°C的生长过程中共存.