概括
在复合半导体光子集成电路 (PIC) 中减轻光损是关键. 表面被氧化 (Al2O3) 的被动化通过解决表面状态吸收,有效地减少了化 (GaAs) PIC 中的光学传播损失.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 光子学是指光子学的使用方法.
背景情况:
- 光学损失是高性能光子集成电路 (PIC) 的一个主要挑战.
- 表面吸收和散射是高折射率对比化合物半导体 (III-V) PIC中的显著损失机制.
- 化 (GaAs) 是III-V PIC的关键材料,但其性能受到与表面相关的光学损失的限制.
研究的目的:
- 为了量化表面状态吸收在悬浮的GaAs PIC平台引起的光学传播损失.
- 为了调查这种与表面相关的光学损失的起源.
- 为了证明表面被动化在减轻这些损失方面的有效性.
主要方法:
- 在悬浮的GaAs PIC中对光传播损失的量化.
- 射线光辐射光谱学 (XPS) 探测表面状态.
- 光谱圆测量用于分析表面特性.
- 使用 (Al2O3) 的表面被动化.
主要成果:
- 由于表面状态吸收而导致的光学传播损失在GaAs PIC平台上得到了量化.
- 损失的起源通过XPS和光谱圆测量来确定.
- 表面被化物的被动化显著减轻了测量的光学损失.
结论:
- 表面状态吸收是悬浮的GaAs PIC中的关键损失机制.
- (Al2O3) 表面被动化是减少光学传播损失的有效方法.
- 这项工作为开发高性能III-V PIC提供了途径.
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